九师联盟 2024~2025学年高三核心模拟卷(上)·(一)1化学试题

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1、九师联盟2023-2024高三核心模拟卷化学
2、九师联盟2023-2024高三核心模拟卷下二
3、九师联盟2023-2024学年高三核心模拟卷上
4、九师联盟2023-2024学年高三核心模拟卷中
5、九师联盟2023-2024学年高三核心模拟卷
6、九师联盟2023-2024高三核心模拟卷中二
7、九师联盟2023-2024学年高三核心模拟卷下
8、九师联盟2023-2024学年高三核心模拟卷上
9、九师联盟2023-2024学年高三核心模拟卷(上)
10、九师联盟2023-2024学年高三核心模拟卷理综

(3)FCO3是菱铁矿的主要成分，CO中C原子的杂化方式为(4)已知：[Cu(NH3)2]CHCOO+CO+NH3=[Cu(NH3)3]CH3COO·CO。该反应中，肯定有(填字母)形成。a.离子键b.配位键C.π键d金属键(5)氯化亚铜(CC)是一种白色、难溶于水的化合物，广泛应用于冶金工业，也可用作催化剂和杀菌剂。CuC的晶胞结构如图1所示，图2为晶胞沿y轴的1：1投影面图，已知apm表示两个原子在投影面上的核间距离，而非实际距离。●CI●CCupm图1图2①晶胞中CI原子的配位数为②原子坐标参数可表示晶胞内部各原子的相对位置，图1中d位置原子坐标参数为(，，是)，则b位置原子坐标参数为③该晶胞的棱长为pme16.(14分)金属和非金属分界线附近的元素（如Si、Ga、Ge、As)是科学研究的热点，可用于制造半导体材料。回答下列问题：(I)基态Ge原子的核外电子排布式为[Ar],有个未成对电子。(2)镓(G)位于元素周期表第四周期第ⅢA族，其卤化物的熔点如下表：卤化物GaFaGaClaGaBra熔点/℃100077.75122.3GaBr的熔点比GaCl高，但比GaF低很多，原因是(3)二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为,草酸根离子中碳原子的杂化方式为(4)GAs是一种人工合成的新型半导体材料，砷化镓的熔点为1238℃，GaAs的晶胞结构如图所示。假设该立方晶胞参数为anm。①晶体中与As原子距离相等且最近的As原子的个数为Ga②已知阿伏加德罗常数的值为VA,GaAs晶体的密度为pg·cm3,则GaAs的摩尔质量为(用含p、a、NA的式子表示)g·mol-1。